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SIR880ADP-T1-GE3  与  BSC117N08NS5  区别

型号 SIR880ADP-T1-GE3 BSC117N08NS5
唯样编号 A3t-SIR880ADP-T1-GE3 A3f-BSC117N08NS5
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 80 V 8.9 mOhm 24 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.3mΩ 11.7mΩ
Ciss - 1000.0pF
Rth - 2.5K/W
Coss - 180.0pF
栅极电压Vgs ±20V 2.2V,3.8V
RthJA max - 50.0K/W
封装/外壳 SOIC-8 SuperSO8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 60A 49A
Ptot max - 50.0W
QG - 15.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.36
RthJC max - 2.5K/W
RoHS compliant - yes
漏源极电压Vds 3V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 5.4W(Ta),83W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 8.0Pins
Mounting - SMD
系列 TrenchFET® OptiMOS™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2289pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR880ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 6.3mΩ 3V

暂无价格 0 当前型号
BSC117N08NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

11.7mΩ 80V 49A SuperSO8 N-Channel 2.2V,3.8V

暂无价格 30 对比
BSC117N08NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

11.7mΩ 80V 49A SuperSO8 N-Channel 2.2V,3.8V

暂无价格 0 对比
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HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥25.2688 

阶梯数 价格
6: ¥25.2688
7 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 0 对比

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