SIR880DP-T1-GE3 与 RS6N120BHTB1 区别
| 型号 | SIR880DP-T1-GE3 | RS6N120BHTB1 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR880DP-T1-GE3 | A33-RS6N120BHTB1-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | SiHG20N50C Series 80 V 60 A 5.9 mOhm Power MOSFET - POWERPAK-SO-8 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) | ±135A | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.9 mOhms @ 20A,10V | 3.3m Ohms | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 6.25W(Ta),104W(Tc) | 104W | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||
| Vgs(th) | 2.8V @ 250uA | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,997 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR880DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 5.9 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
¥25.2688
|
1,997 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |