SIR882ADP-T1-GE3 与 BSC070N10NS5 区别
| 型号 | SIR882ADP-T1-GE3 | BSC070N10NS5 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIR882ADP-T1-GE3 | A-BSC070N10NS5 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.7mΩ | 7mΩ@40A,10V |
| 漏源极电压Vds | 2.8V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5.4W(Ta),83W(Tc) | 83W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SuperSO8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 60A | 80A |
| 系列 | SI | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1975pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 8.7mΩ 2.8V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8(6x5) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC070N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7mΩ@40A,10V 100V 80A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel ±20V 83W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
