SIS430DN-T1-GE3 与 CSD16406Q3 区别
| 型号 | SIS430DN-T1-GE3 | CSD16406Q3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIS430DN-T1-GE3 | A36-CSD16406Q3 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | TI | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 25 V 19A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.1 mOhms @ 20A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 25V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.8W(Ta),52W(Tc) | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,866 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SIS430DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
35A(Tc) N-Channel 5.1 mOhms @ 20A,10V 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 25V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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CSD16406Q3 | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥4.169
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2,866 | 对比 |
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