SIS472ADN-T1-GE3 与 IRFHM8329TRPBF 区别
| 型号 | SIS472ADN-T1-GE3 | IRFHM8329TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIS472ADN-T1-GE3 | A-IRFHM8329TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | Single N-Channel 30 V 6.1 mO 26 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6.1mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.6W(Ta),33W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK | PQFN(3x3) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 16A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIS472ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFHM8329TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.6W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.1mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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