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SISA12ADN-T1-GE3  与  IRFHM830TRPBF  区别

型号 SISA12ADN-T1-GE3 IRFHM830TRPBF
唯样编号 A3t-SISA12ADN-T1-GE3 A-IRFHM830TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6 mO 15 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.8mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),28W(Tc) 2.7W(Ta),37W(Tc)
Vgs(th) 2.2V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 PQFN(3x3)
连续漏极电流Id 25A(Tc) 21A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2155pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
Vgs(最大值) +20V,-16V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2155pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SISA12ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
CSD17577Q3A TI  数据手册 未分类

¥2.1315 

阶梯数 价格
30: ¥2.1315
100: ¥1.6255
1,250: ¥1.4055
2,460 对比
NTTFS4C06NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
IRFHM830TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.7W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.8mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
NTTFS4C06NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
NTTFS4C06NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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