SISA12ADN-T1-GE3 与 FDMC7664 区别
| 型号 | SISA12ADN-T1-GE3 | FDMC7664 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SISA12ADN-T1-GE3 | A3t-FDMC7664 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.5W(Ta),28W(Tc) | 2.3W(Ta),45W(Tc) |
| 功率 | - | 2.3W(Ta),45W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - |
| 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | - | 10V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | 8-PowerWDFN |
| 连续漏极电流Id | 25A(Tc) | 18.8A(Ta),24A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | - | 15V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4865pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 76nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 4.3 mOhms @ 10A,10V | 4.2 毫欧 @ 18.8A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4865pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 76nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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CSD17577Q3A | TI | 数据手册 | 未分类 |
¥2.712
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910 | 对比 | |||||||
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NTTFS4C06NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTTFS4C06NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTTFS4C06NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDMC7664 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.3W(Ta),45W(Tc) 4.2m Ohms@18.8A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 18.8A N-Channel 30V 18.8A(Ta),24A(Tc) ±20V 4.2 毫欧 @ 18.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |