STB12NM50ND 与 SIHB15N50E-GE3 区别
| 型号 | STB12NM50ND | SIHB15N50E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-STB12NM50ND | A3t-SIHB15N50E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 550 V 0.38 O Surface Mount FDmesh II Power MosFet - D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380mΩ@5.5A,10V | 280 mOhms @ 7.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 100W(Tc) | 156W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±25V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 11A | 14.5A(Tc) |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | FDmesh™ II | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 850pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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STB12NM50ND | STMicro | 功率MOSFET |
11A(Tc) ±25V 100W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 500V 11A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SIHB15N50E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.5A(Tc) N-Channel 280 mOhms @ 7.5A,10V 156W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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