STP140NF75 与 IRFB7546PBF 区别
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规格信息
型号	STP140NF75	IRFB7546PBF
唯样编号	A3t-STP140NF75	A-IRFB7546PBF
制造商	STMicroelectronics	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220	N Channel 60 V 7.3 mO 99 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB
数据表	STP140NF75.pdf	IRFB7546PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.5mΩ@70A,10V	7.3mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds	75V	60V
Pd-功率耗散(Max)	310W(Tc)	99W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220	TO-220AB
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	120A	75A
系列	STripFET™ III	HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	3.7V @ 100µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5000pF @ 25V	3000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	218nC @ 10V	87nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	3.7V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	87nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
STP140NF75	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A	暂无价格	当前型号
AOT470	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-220 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C	暂无价格	对比
IRFB7546PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.3mΩ@45A,10V N-Channel 60V 75A TO-220AB	暂无价格	对比
IRFB3207ZPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 300W(Tc) 4.1mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 170A 75V TO-220AB	暂无价格	对比
PSMN005-75P,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A	暂无价格	对比
IRFB3307PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A TO-220AB	暂无价格	对比