首页 > 商品目录 > > > > SUD19P06-60-GE3代替型号比较

SUD19P06-60-GE3  与  TJ15S06M3L(T6L1,NQ  区别

型号 SUD19P06-60-GE3 TJ15S06M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A3t-SUD19P06-60-GE3 A33-TJ15S06M3L(T6L1,NQ
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 mOhms @ 10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) 41W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50 毫欧 @ 7.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1770 pF @ 10 V
Vgs(th) 3V @ 250uA 3V @ 1mA
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 36 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
连续漏极电流Id 18.3A(Tc) 15A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 175°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V +10V,-20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.2478
50+ :  ¥4.4463
100+ :  ¥3.8522
300+ :  ¥3.4497
500+ :  ¥3.3731
1,000+ :  ¥3.3156
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD19P06-60-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 当前型号
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A

¥3.19 

阶梯数 价格
20: ¥3.19
100: ¥2.453
1,250: ¥2.134
2,500: ¥2.035
7,289 对比
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 41W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 15A(Ta)

¥6.2478 

阶梯数 价格
30: ¥6.2478
50: ¥4.4463
100: ¥3.8522
300: ¥3.4497
500: ¥3.3731
1,000: ¥3.3156
2,000 对比
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A

暂无价格 0 对比
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A

¥2.4888 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.4888
0 对比
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK

暂无价格 127,500 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售