SUM110N04-2M1P-E3 与 IRFS7437TRLPBF 区别
| 型号 | SUM110N04-2M1P-E3 | IRFS7437TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUM110N04-2M1P-E3 | A-IRFS7437TRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 40 V 0.0021 O 240 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK) | N-Channel 40 V 230 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.1 mOhms @ 30A,10V | 1.8mΩ@100A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.13W(Ta),312W(Tc) | 230W(Tc) |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 29A(Ta),110A(Tc) | 250A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET®,StrongIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 225nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.9V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7330pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 225nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29A(Ta),110A(Tc) N-Channel 2.1 mOhms @ 30A,10V 3.13W(Ta),312W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFS7440TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 120A(Tc) ±20V 208W(Tc) 2.5mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 |
|
IRF2804STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2mΩ@75A,10V N-Channel 40V 280A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS7437TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.8mΩ@100A,10V N-Channel 40V 250A TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
