SUM80090E-GE3 与 AOB2502L 区别
| 型号 | SUM80090E-GE3 | AOB2502L | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SUM80090E-GE3 | A-AOB2502L | ||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-Chan 150V D2PAK (TO-263) | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 14 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9mΩ@30A,10V | 10.7mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 10 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 19 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 128A | 106A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 3010 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 7.5V,10V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 75 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 30 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 277W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 880 | ||||||||
| VGS(th) | - | 5.1 Ohms | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | ThunderFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3425pF @ 75V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 347 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 43* | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 800 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SUM80090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) 9mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB N-Channel 150V 128A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOB2502L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 150V 20V 106A 277W 10.7mΩ@10V |
￥20
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800 | 对比 |
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