SUP50020EL-GE3 与 NTP75N06 区别
| 型号 | SUP50020EL-GE3 | NTP75N06 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP50020EL-GE3 | A3t-NTP75N06 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 375W(Tc) | - |
| 功率 | - | 2.4W(Ta),214W(Tj) |
| 漏源极电压Vds | 1.2V | 60V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | 75A(Ta) |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11113pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 126nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 2.8mΩ | 9.5 毫欧 @ 37.5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4510pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP50020EL-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB3006GPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB7534PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@100A,10V N-Channel 60V 232A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 2.6mΩ@10V,3.15mΩ@4.5V 349W 175°C 1.7V 60V 150A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTP75N06 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRFB7537PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 173A(Tc) ±20V 230W(Tc) 3.3mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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