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TN2404K-T1-GE3  与  BSS131H6327XTSA1  区别

型号 TN2404K-T1-GE3 BSS131H6327XTSA1
唯样编号 A3t-TN2404K-T1-GE3 A-BSS131H6327XTSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 TN2404K Series 240 V 4 Ohm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-236-3 MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4Ω@300mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 240V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 360mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 77pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 200mA -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 56uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.1nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 14 欧姆 @ 100mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 110mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 240V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TN2404K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 200mA 4Ω@300mA,10V 240V

暂无价格 0 当前型号
DMN30H4D0L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 310mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 300V 250mA(Ta)

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
52 对比
BSS131H6327XTSA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23

暂无价格 0 对比

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