TP0610K-T1-GE3 与 BSS84LT1G 区别
| 型号 | TP0610K-T1-GE3 | BSS84LT1G | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-TP0610K-T1-GE3 | A36-BSS84LT1G | ||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 350mW | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 1.7nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 35ns | - | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 80mS | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 185mA | - | ||||||
| 系列 | TP0 | - | ||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||
| 配置 | Single | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 23pF @ 25V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.7nC @ 15V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 20ns | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 6Ω | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 42,128 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSS84LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4446
|
42,128 | 对比 | ||||||||||
|
NDS0610 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.624
|
37,778 | 对比 | ||||||||||
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NDS0605 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
180mA(Ta) ±20V 360mW(Ta) 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 P-Channel 60V 0.18A SOT-23-3 |
暂无价格 | 27,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
