TPCC8105,L1Q(CM 与 SI7625DN-T1-GE3 区别
| 型号 | TPCC8105,L1Q(CM | SI7625DN-T1-GE3 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TPCC8105,L1Q(CM | A36-SI7625DN-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | Toshiba | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON | P-Channel 30 V 7 mO 5126 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 700mW(Ta),30W(Tc) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30 V | 30V | ||||||||
| 产品状态 | 在售 | - | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 7.8 毫欧 @ 11.5A,10V | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3240 pF @ 10 V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 2V @ 500uA | 2.5V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 76 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-TSON Advance(3.3x3.3) | PowerPAK® 1212-8 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 23A(Ta) | 35A(Tc) | ||||||||
| Vgs(最大值) | +20V,-25V | ±20V | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 7 mOhms @ 15A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,914 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPCC8105,L1Q(CM | Toshiba | 功率MOSFET |
P-Channel 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3) 150°C 30 V 23A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
|
SI7625DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
35A(Tc) P-Channel 7 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥6.036
|
2,914 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI7625DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
35A(Tc) P-Channel 7 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
