DTA114EUBHZGTL 与 RN2317(TE85L,F) 区别
| 型号 | DTA114EUBHZGTL | RN2317(TE85L,F) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3x-DTA114EUBHZGTL | A33-RN2317(TE85L,F) | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Toshiba | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | 10K Ohms | - | ||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||||||
| 功率 | - | 100 mW | ||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||
| 电阻器-发射极(R2) | - | 4.7 kOhms | ||||||
| 产品特性 | 车规 | 带阻/预偏置 | ||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 250uA,5mA | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | - | ||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100 mA | ||||||
| 电阻器-基极(R1) | - | 10 kOhms | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-323FL | SC-70 | ||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50 V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| 集电极电流Ic | -50mA | - | ||||||
| 频率-跃迁 | - | 200 MHz | ||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 30 @ 10mA,5V | ||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 500nA | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | - | ||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | - | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| R1 | 10K Ohms | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 15,000 | 2,230 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DTA114EUBHZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323FL 200mW -50V -50mA 车规 PNP |
￥0.1027
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15,000 | 当前型号 | ||||||
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RN2317(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,230 | 对比 | ||||||
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RN2307(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 8 | 对比 | ||||||
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BCR 185W H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BCR 183W H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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