| 制造商编号 | RN2307(TE85L,F) |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A33-RN2307(TE85L,F) |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM 翻译
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | BJT三极管 | |
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | 300mV @ 250uA,5mA | |
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | SC-70 | |
| 功率 | 100 mW | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50 V | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100 mA | |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA | |
| 电阻器-发射极(R2) | 47 kOhms | |
| 电阻器-基极(R1) | 10 kOhms | |
| 频率-跃迁 | 200 MHz | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 产品特性 | 带阻/预偏置 |
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高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
低温共烧陶瓷（LTCC）工艺，低剖面厚度与低插入损耗，适用于高频率、高稳定性的射频应用
具有无卤环氧树脂、高元件和设备可靠性,封装形式多样
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMBT3904LT1G | 1,740,000 |
| S-LMBT3904LT1G | 789,020 |
| PDTC114ET-QR | 477,041 |
| S-LMUN2212LT1G | 210,500 |
| BC857B-QR | 210,100 |
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