RE1J002YNTCL 与 RUE002N05TL 区别
| 型号 | RE1J002YNTCL | RUE002N05TL | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3x-RE1J002YNTCL | A33-RUE002N05TL | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||
| 功率耗散(最大值) | - | 150mW(Ta) | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 漏源极电压Vds | 50V | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 25pF @ 10V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||
| 封装/外壳 | EMTF | EMT3 | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.2A | - | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 1mA | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 800mV @ 1mA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 26pF @ 10V | - | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±8V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 0.9V,4.5V | - | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.2V,4.5V | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 200mA(Ta) | ||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 50V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.2Ω@200mA,4.5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 145 | 14 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 28 - 35天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RE1J002YNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±8V 150mW 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) EMTF N-Channel 50V 0.2A |
￥0.3692
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145 | 当前型号 | ||||||||||
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RYE002N05TCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥1.0641
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2,000 | 对比 | |||||||||||
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RYE002N05TCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 56 | 对比 | |||||||||||
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RUE002N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 EMT3 |
暂无价格 | 14 | 对比 | ||||||||||
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RUE002N05TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 EMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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