RQ3G100GNTB 与 DMN4010LFG-7 区别
| 型号 | RQ3G100GNTB | DMN4010LFG-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3x-RQ3G100GNTB | A36-DMN4010LFG-7 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 上升时间 | 4.2ns | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 8.4nC | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1810 pF @ 20 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 37 nC @ 10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | HSMT | PowerDI3333-8 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | 11.5A(Ta) | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 下降时间 | 3.2ns | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.3mΩ@10A,10V | - | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 930mW(Ta) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 12mΩ@14A,10V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 23.1ns | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | RQ | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 615pF @ 20V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.4nC @ 10V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 8ns | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 66 | 14,652 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RQ3G100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 10A 2W 14.3mΩ@10A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥0.7292
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66 | 当前型号 | ||||||||
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DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 930mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 40V 11.5A(Ta) |
￥1.4382
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14,652 | 对比 |
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