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RUC002N05T116  与  BSS138K  区别

型号 RUC002N05T116 BSS138K
唯样编号 A3x-RUC002N05T116 A3-BSS138K
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 RUC002N05 Series 50 V ± 200 mA 2.2 Ohm N-Channel Mosfet - SOT-23-3 (SST3) N-Channel 50 V Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2Ω@200mA,4.5V 1.6 欧姆 @ 50mA,5V
漏源极电压Vds 50V 50V
Pd-功率耗散(Max) 200mW(Ta) 350mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A 220mA(Ta)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V 58pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,4.5V 1.8V,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 58pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC
库存与单价
库存 39,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.117
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RUC002N05T116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

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3,000: ¥0.117
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