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FQD7P06TM  与  SIHFR9014-GE3  区别

型号 FQD7P06TM SIHFR9014-GE3
唯样编号 C-FQD7P06TM A3t-SIHFR9014-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 海外代购M 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 60 V 0.45 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),28W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 451 毫欧 @ 2.7A,10V 500 mOhms @ 3.1A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),28W(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.4A(Tc) 5.1A(Tc)
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 295pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 295pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥7.6353
10+ :  ¥6.5034
100+ :  ¥5.192
250+ :  ¥5.0572
500+ :  ¥4.1051
1,000+ :  ¥3.2787
2,500+ :  ¥2.8296
5,000+ :  ¥2.6679
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQD7P06TM ON Semiconductor 通用MOSFET

2.5W(Ta),28W(Tc) 451m Ohms@2.7A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 5.4A P-Channel 60V 5.4A(Tc) ±25V 451 毫欧 @ 2.7A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥7.6353 

阶梯数 价格
1: ¥7.6353
10: ¥6.5034
100: ¥5.192
250: ¥5.0572
500: ¥4.1051
1,000: ¥3.2787
2,500: ¥2.8296
5,000: ¥2.6679
0 当前型号
SIHFR9014-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.1A(Tc) P-Channel 500 mOhms @ 3.1A,10V 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比

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