首页 > 商品目录 > > > TK28N65W,S1F代替型号比较

TK28N65W,S1F  与  R6030KNZ1C9  区别

型号 TK28N65W,S1F R6030KNZ1C9
唯样编号 D-TK28N65W,S1F A3-R6030KNZ1C9
制造商 Toshiba Semic ROHM Semiconductor
供应商 海外代购D 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 通孔 N 通道 650 V 27.6A(Ta) 230W(Tc) TO-247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 130mΩ@14.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 305W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 30 450
工厂交货期 21 - 42天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥52.6693
100+ :  ¥43.1543
500+ :  ¥36.7368
1,000+ :  ¥30.983
2,000+ :  ¥29.4337
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage  数据手册 未分类

TO-247-3

¥52.6693 

阶梯数 价格
30: ¥52.6693
100: ¥43.1543
500: ¥36.7368
1,000: ¥30.983
2,000: ¥29.4337
30 当前型号
R6030KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

¥75.816 

阶梯数 价格
1: ¥75.816
100: ¥43.8217
450: ¥27.7829
450 对比
R6030KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 450 对比
STW34NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STW37N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW35N60C3FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW35N60C3_TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售