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IXFH30N50Q3  与  AOK29S50L  区别

型号 IXFH30N50Q3 AOK29S50L
唯样编号 E-IXFH30N50Q3 A-AOK29S50L
制造商 IXYS AOS
供应商 欧时电子 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id - 29A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150 mΩ @ 14.5A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
栅极电荷Qg - 26.6nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥101.2125
5+ :  ¥98.9625
15+ :  ¥89.1375
25+ :  ¥88.275
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