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IXFH30N60P  与  R6015ENZC8  区别

型号 IXFH30N60P R6015ENZC8
唯样编号 H-IXFH30N60P A-R6015ENZC8
制造商 IXYS ROHM Semiconductor
供应商 Verical 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 500 W 82 nC Through Hole Power Mosfet - TO-247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@6.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-3P-3
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 42 - 126天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥42.4036
100+ :  ¥24.5093
360+ :  ¥15.5389
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-3P-3

¥42.4036 

阶梯数 价格
1: ¥42.4036
100: ¥24.5093
360: ¥15.5389
30 对比
R6015ENZC8 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-3P-3

暂无价格 30 对比

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