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2N7002W-7-F  与  SN7002WH6327XTSA1  区别

型号 2N7002W-7-F SN7002WH6327XTSA1
唯样编号 M-2N7002W-7-F A-SN7002WH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 海外代购 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 60 V 7.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-323 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.35mm -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5Ω -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 45pF @ 25V
栅极电压Vgs 1V -
正向跨导 - 最小值 80mS -
封装/外壳 SOT-323 SC-70,SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 115mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 10V
配置 Single -
长度 2.2mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 200mW -
典型关闭延迟时间 11ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 26uA
系列 2N7002 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 7ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323 2.2mm

暂无价格 0 当前型号
2N7002BKW,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002BKW_SOT323

¥0.4536 

阶梯数 价格
10: ¥0.4536
100: ¥0.336
1,000: ¥0.2605
1,500: ¥0.2135
3,000: ¥0.1889
15,320 对比
2N7002PW,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002PW_SOT-323

¥0.3342 

阶梯数 价格
570: ¥0.3342
1,000: ¥0.2591
1,500: ¥0.2124
3,000: ¥0.188
0 对比
SN7002WH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002W H6327_SC-70,SOT-323

暂无价格 0 对比
2N7002W-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比
SN7002W H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002WH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 0 对比

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