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IXFH60N65X2  与  R6076MNZ1C9  区别

型号 IXFH60N65X2 R6076MNZ1C9
唯样编号 M-IXFH60N65X2 A3-R6076MNZ1C9
制造商 IXYS ROHM Semiconductor
供应商 海外代购 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 通孔 N 通道 650 V 60A(Tc) 780W(Tc) TO-247(IXTH)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 55mΩ@38A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 740W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id - 76A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7nF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 115nC
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 42 - 126天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IXFH60N65X2 IXYS  数据手册 未分类

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