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STD47N10F7AG  与  AUIRFR3710Z  区别

型号 STD47N10F7AG AUIRFR3710Z
唯样编号 M-STD47N10F7AG A-AUIRFR3710Z
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 海外代购 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 STD47N10F7AG Series 100V 0.018 O 22 A N-Channel STripFET™ F7 Power MOSFET-DPAK-3 Single N-Channel 100 V 140 W 69 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18mΩ@33A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 56A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2930pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD47N10F7AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
STD45N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
STD45N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD180N10N3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD180N10N3 G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
AUIRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比

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