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SQD50N04-5M6_GE3  与  IPD050N03L G  区别

型号 SQD50N04-5M6_GE3 IPD050N03L G
唯样编号 A-SQD50N04-5M6_GE3 A-IPD050N03L G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@20A,10V 4.2mΩ
上升时间 - 13ns
Qg-栅极电荷 - 31nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 38S
封装/外壳 TO-252-3,DPak,SC-63 -
连续漏极电流Id 50A(Tc) 50A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 3.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) 68W
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 6.7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N04-5M6_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
DMTH4007LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD050N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD050N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
BUK626R2-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK626R2-40C_SOT428

¥13.1595 

阶梯数 价格
400: ¥13.1595
1,000: ¥9.7478
1,250: ¥7.6154
2,500: ¥6.2422
0 对比
IPD50N04S4L-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L08ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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