SQJ940EP-T1_GE3 与 BUK9K18-40E-115 区别
| 型号 | SQJ940EP-T1_GE3 | BUK9K18-40E-115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQJ940EP-T1_GE3 | A3t-BUK9K18-40E-115 |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | DUAL N-CH 40-V PPAK SO-8L | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@15A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 48W,43W | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | 2N-Channel | - |
| 封装/外壳 | SO-8L-4 | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 15A,18A | - |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 896pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 20V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 55 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
48W,43W -55°C~175°C(TJ) SO-8L-4 2N-Channel 15A,18A 16mΩ@15A,10V 40V ±20V 车规 |
暂无价格 | 55 | 当前型号 |
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BUK9K18-40E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1205 N-Channel 38W 175°C 1.7V 40V 30A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BUK9K18-40E,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1205 N-Channel 38W 175°C 1.7V 40V 30A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BUK9K18-40E-115 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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