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RT1A060APTR  与  AON4407_003  区别

型号 RT1A060APTR AON4407_003
唯样编号 A-RT1A060APTR A-AON4407_003
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@6A,4.5V 20 mΩ @ 9A,4.5V
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs -8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SMD 8-DFN(3x2)
连续漏极电流Id 6A(Ta) 9A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 23nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7800pF @ 6V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.4433
100+ :  ¥3.7242
1,500+ :  ¥2.3612
3,000+ :  ¥1.7071
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RT1A060APTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

8-SMD

¥6.4433 

阶梯数 价格
1: ¥6.4433
100: ¥3.7242
1,500: ¥2.3612
3,000: ¥1.7071
100 当前型号
AON4407_003 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(3x2)

暂无价格 0 对比
AON4407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x2

暂无价格 0 对比

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