SQ4184EY-T1_GE3 与 AUIRF7805QTR 区别
| 型号 | SQ4184EY-T1_GE3 | AUIRF7805QTR | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQ4184EY-T1_GE3 | A-AUIRF7805QTR | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 3.9mm | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6mΩ | 11mΩ@7A,4.5V | ||
| 上升时间 | 30ns | - | ||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||
| Qg-栅极电荷 | 110nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±12V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 78S | - | ||
| 封装/外壳 | - | SO8 | ||
| 连续漏极电流Id | 29A | 13A(Ta) | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 长度 | 4.9mm | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V | ||
| 下降时间 | 15ns | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 高度 | 1.75mm | - | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 7.1W | 2.5W(Ta) | ||
| 典型关闭延迟时间 | 43ns | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 系列 | SQ | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 15ns | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 31nC @ 5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ4184EY-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 29A 3.6mΩ 20V 7.1W N-Channel -55°C~175°C 车规 |
￥4.756
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0 | 当前型号 | ||||
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AUIRF7805QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 13A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 11mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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