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PJA3415AE-AU_R1_000A1  与  SQ2315ES-T1_GE3  区别

型号 PJA3415AE-AU_R1_000A1 SQ2315ES-T1_GE3
唯样编号 A-PJA3415AE-AU_R1_000A1 A-SQ2315ES-T1_GE3
制造商 Panjit Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@3.5A,10V
漏源极电压Vds 20V 12V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 2W(Tc)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 5A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 52mΩ@4.3A,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 870pF @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,434 9,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥1.4981
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