IPB026N06N 与 SQM120N06-3M5L_GE3 区别
| 型号 | IPB026N06N | SQM120N06-3M5L_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPB026N06N | A-SQM120N06-3M5L_GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 9.25mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.3mΩ | 3.5mΩ@29A,10V |
| 上升时间 | 15ns | - |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | 66nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | 80S | - |
| 封装/外壳 | - | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 100A | 120A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 8ns | - |
| 高度 | 4.4mm | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 136W | 375W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 30ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | OptiMOS5 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 14700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 330nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 17ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 55 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB026N06N | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.3mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) 3.5mΩ@29A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 120A 车规 |
暂无价格 | 55 | 对比 |
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