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IRLR3110ZTRLPBF  与  AOD2908_001  区别

型号 IRLR3110ZTRLPBF AOD2908_001
唯样编号 A-IRLR3110ZTRLPBF A-AOD2908_001
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 1V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
封装/外壳 - TO-252,(D-Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 63A 52A(Tc)
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
正向二极管电压 1.3V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3980pF -
高度 4.83mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 33 ns -
Pd-功率耗散(Max) 140W -
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET -
典型接通延迟时间 24 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC -
正向跨导 52S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3110ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 当前型号
PSMN025-100D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN025-100D_SOT428

¥23.0698 

阶梯数 价格
400: ¥23.0698
1,000: ¥17.0887
1,250: ¥13.3506
2,500: ¥10.9431
0 对比
IRLR3110ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD2908 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比
IRLR3110ZTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
AOD2908_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比

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