PJA3415_R1_00001 与 NTR2101PT1G 区别
| 型号 | PJA3415_R1_00001 | NTR2101PT1G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJA3415_R1_00001 | A36-NTR2101PT1G | ||||
| 制造商 | Panjit | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 52m Ohms@3.5A,4.5V | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 8V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 960mW(Ta) | ||||
| 栅极电压Vgs | 12V | ±8V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 3.7A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1173pF @ 4V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 4.5V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 57mΩ@4A,4.5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 1,160 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PJA3415_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 12V P-Channel 1.25W -55°C~150°C 20V 4A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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DMP2130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 3A(Ta) |
￥0.6422
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2,279 | 对比 | ||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
￥0.6006
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1,160 | 对比 | |||||||||
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DMP2305U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 1.4W 60mΩ 20V 500mV P-Channel |
￥0.5239
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603 | 对比 | ||||||||
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PMV65XPEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -3.3A 车规 |
暂无价格 | 140 | 对比 | ||||||||
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IRLML6401TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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