首页 > 商品目录 > > > > PJD50N10AL-AU_L2_000A1代替型号比较

PJD50N10AL-AU_L2_000A1  与  IPD30N10S3L34ATMA1  区别

型号 PJD50N10AL-AU_L2_000A1 IPD30N10S3L34ATMA1
唯样编号 A-PJD50N10AL-AU_L2_000A1 A-IPD30N10S3L34ATMA1
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 57W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 83W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1976pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 42A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 29uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 31 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 28.5mΩ@15A,4.5V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 15,020 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥2.35
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Panjit  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA

¥2.35 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.35
15,020 当前型号
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
PJD50N10AL_L2_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak,SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售