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SQM40P10-40L_GE3  与  AUIRF5210S  区别

型号 SQM40P10-40L_GE3 AUIRF5210S
唯样编号 A-SQM40P10-40L_GE3 A-AUIRF5210S
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ 60mΩ@38A,10V
上升时间 10ns -
Qg-栅极电荷 134nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 47S -
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 40A 38A(Tc)
配置 Single -
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
下降时间 20ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5295pF @ 25V 2780pF @ 25V
高度 4.83mm -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 150W 3.1W(Ta),170W(Tc)
典型关闭延迟时间 63ns -
FET类型 - P-Channel
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 10ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 134nC @ 10V 230nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM40P10-40L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 10.67mm

暂无价格 0 当前型号
AUIRF5210S Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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