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SQD50P06-15L_GE3  与  TJ30S06M3L(T6L1,NQ  区别

型号 SQD50P06-15L_GE3 TJ30S06M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A3-SQD50P06-15L_GE3 A3t-TJ30S06M3L(T6L1,NQ
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.5mΩ -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 2.5V 60 V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 136W(Tc) 68W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 21.8 毫欧 @ 15A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3950 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 80 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 30A(Ta)
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5910pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 2,431 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50P06-15L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel 50A 15.5mΩ 2.5V 车规

暂无价格 2,431 当前型号
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥11.9493 

阶梯数 价格
20: ¥11.9493
50: ¥7.091
100: ¥6.4873
300: ¥6.0753
500: ¥5.9986
1,000: ¥5.9411
2,000: ¥5.9028
2,239 对比
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

¥11.7768 

阶梯数 价格
20: ¥11.7768
50: ¥6.6311
100: ¥5.989
300: ¥5.5578
500: ¥5.4716
1,000: ¥5.4045
1,424 对比
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 90W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 50A(Ta)

暂无价格 0 对比
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 68W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 30A(Ta)

¥7.1773 

阶梯数 价格
30: ¥7.1773
50: ¥5.347
100: ¥4.7338
300: ¥4.3313
500: ¥4.2451
1,000: ¥4.1876
1,970 对比
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 68W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 30A(Ta)

暂无价格 0 对比

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