PJQ2815_R1_00001 与 DMP2160UFDBQ-7 区别
| 型号 | PJQ2815_R1_00001 | DMP2160UFDBQ-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJQ2815_R1_00001 | A36-DMP2160UFDBQ-7 |
| 制造商 | Panjit | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 68mΩ |
| 上升时间 | - | 12.09ns |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W |
| Qg-栅极电荷 | - | 6.5nC |
| 栅极电压Vgs | 8V | 900mV |
| 典型关闭延迟时间 | - | 55.34ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | DFN2020-6L | U-DFN2030-6 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 3.8A |
| 系列 | - | DMP2160 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 通道数 | Dual | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 52mΩ@4.5V | - |
| 下降时间 | - | 27.54ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 11.51ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 536pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 32 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJQ2815_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel DFN2020-6L 8V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 32 | 对比 |
|
PMDXB950UPEZ | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1216 P-Channel 0.265W 150°C -0.7V,8V -20V -0.5A |
暂无价格 | 25 | 对比 |
|
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DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) U-DFN2030-6 3.8A 1.4W 68mΩ 20V 900mV 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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