首页 > 商品目录 > > > > BSS123_R1_00001代替型号比较

BSS123_R1_00001  与  BSS123N H6327  区别

型号 BSS123_R1_00001 BSS123N H6327
唯样编号 A-BSS123_R1_00001 A-BSS123N H6327
制造商 Panjit Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@170mA,10V 2.4Ω
上升时间 - 3.2ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 500mW(1/2W)
Qg-栅极电荷 - 900pC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 410mS
典型关闭延迟时间 - 7.4ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 -
连续漏极电流Id 170mA 190mA
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSS123
长度 - 2.9mm
下降时间 - 22ns
典型接通延迟时间 - 2.3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 50 3,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123_R1_00001 Panjit  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 50 当前型号
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB

¥0.4558 

阶梯数 价格
10: ¥0.4558
100: ¥0.3376
1,000: ¥0.2617
1,500: ¥0.2145
3,000: ¥0.1898
15,134 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 3,000 对比
SS12-E3/61T Vishay  数据手册 肖特基(SBD)二极管

DO-214AC

暂无价格 25 对比
BSS123-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 对比
BSS123N Infineon  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售