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FDN358P  与  AO3409_103  区别

型号 FDN358P AO3409_103
唯样编号 A3-FDN358P A-AO3409_103
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SuperSOT -
连续漏极电流Id 1.5A 2.6A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

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