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PJA3415AE_R1_00001  与  DMG3415U-7  区别

型号 PJA3415AE_R1_00001 DMG3415U-7
唯样编号 A-PJA3415AE_R1_00001 A3-DMG3415U-7
制造商 Panjit Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@-4.3A,-4.5V 39mΩ@4A,4.5V
上升时间 - 117ns
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 900mW
Qg-栅极电荷 - 9.1nC
栅极电压Vgs ±8V ±8V
典型关闭延迟时间 - 795ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -4.3A 4A
配置 - Single
系列 - DMG3415
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 294pF @ 10V
长度 - 2.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
下降时间 - 393ns
典型接通延迟时间 - 71ns
高度 - 1mm
库存与单价
库存 30,000 12,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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