SQ2310ES-T1_GE3 与 RUR040N02TL 区别
| 型号 | SQ2310ES-T1_GE3 | RUR040N02TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-SQ2310ES-T1_GE3 | A33-RUR040N02TL | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@5A,4.5V | 35mΩ@4A,4.5V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | 1W(Ta) | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±10V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SC-96 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | 4A(Ta) | ||||||||||||||
| 系列 | SQ | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 10V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.3V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 10V | 680pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | 8nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 42 | 1,565 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 2W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 6A(Tc) 30mΩ@5A,4.5V 车规 |
￥1.0385
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42 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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5,772 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥4.7242
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1,565 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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423 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
