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SQ2348ES-T1_GE3  与  DMN3052L-7  区别

型号 SQ2348ES-T1_GE3 DMN3052L-7
唯样编号 A-SQ2348ES-T1_GE3 A3-DMN3052L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@12A,10V 32mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Tc) 1.4W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A(Tc) 5.4A
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 15V 555pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 105 12,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2348ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 105 当前型号
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