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SQ2351ES-T1_GE3  与  SI2321-TP  区别

型号 SQ2351ES-T1_GE3 SI2321-TP
唯样编号 A-SQ2351ES-T1_GE3 A-SI2321-TP
制造商 Vishay MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 表面贴装型 P 通道 20 V 2.9A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@2.4A,4.5V 110mΩ@2.2A,10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 350mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET 类型 - P-Channel
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
输入电容Ciss - 715pF @ 6V
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 2.9A(Ta)
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 13nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
10: ¥0.7414
100: ¥0.5492
1,000: ¥0.4257
1,500: ¥0.3489
3,000: ¥0.3088
1,972 对比
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