首页 > 商品目录 > > > > SQ2389ES-T1_GE3代替型号比较

SQ2389ES-T1_GE3  与  DMP4065SQ-7  区别

型号 SQ2389ES-T1_GE3 DMP4065SQ-7
唯样编号 A-SQ2389ES-T1_GE3 A-DMP4065SQ-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 94m Ohms@10A,10V 64mΩ
上升时间 - 2.9ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3W 1.4W
Qg-栅极电荷 - 12.2nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 36.3ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 4.1A 3.4A
系列 SQ -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 420pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
电压 -40V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 15.3ns
典型接通延迟时间 - 3.6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2389ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

SOT-23 -40V

暂无价格 0 当前型号
DMP4065SQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMP4065SQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售