SQD19P06-60L_GE3 与 AUIRFR5305TR 区别
| 型号 | SQD19P06-60L_GE3 | AUIRFR5305TR | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SQD19P06-60L_GE3 | A-AUIRFR5305TR | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 6.22mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55mΩ@-19A,-10V | 65mΩ | ||
| 上升时间 | - | 66ns | ||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | - | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||
| 连续漏极电流Id | -20A | 3.1A | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 6.5mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 下降时间 | - | 63ns | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V | ||
| 高度 | - | 2.3mm | ||
| 漏源极电压Vds | -60V | 55V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 46W(Tc) | 110W | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 39ns | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 系列 | SQ | - | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1490pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD19P06-60L_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 46W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 P-Channel -60V -20A 55mΩ@-19A,-10V 车规 |
￥3.0171
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0 | 当前型号 | ||||
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AUIRFR5305TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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NTD20P06LG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTDV20P06LT4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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