首页 > 商品目录 > > > > SQJ110EP-T1_GE3代替型号比较

SQJ110EP-T1_GE3  与  BUK7Y12-100EX  区别

型号 SQJ110EP-T1_GE3 BUK7Y12-100EX
唯样编号 A-SQJ110EP-T1_GE3 A3n-BUK7Y12-100EX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 SOT669
功率耗散Pd 500W 238W
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 170A 85A
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 车规 -
输入电容 - 3800pF
导通电阻Rds(On) 6.3mΩ@15A,10V 12mΩ@25A,10V
输出电容 - 349pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
1,500+ :  ¥5.6372
3,000+ :  ¥5.4117
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ110EP-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8 N-Channel 500W 6.3mΩ@15A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 170A 车规

暂无价格 0 当前型号
BUK7Y12-100EX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 12mΩ@25A,10V 238W -55°C~175°C ±20V 100V 85A

¥9.4538 

阶梯数 价格
1,500: ¥9.4538
0 对比
BUK7Y12-100EX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 12mΩ@25A,10V 238W -55°C~175°C ±20V 100V 85A

¥5.6372 

阶梯数 价格
1,500: ¥5.6372
3,000: ¥5.4117
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售