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FDS6679  与  SMBJ30A-E3/52  区别

型号 FDS6679 SMBJ30A-E3/52
唯样编号 A32-FDS6679 A-SMBJ30A-E3/52
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET TVS二极管
描述 P-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 TVS 二极管/ESD 抑制器
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 13A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 单向
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel 齐纳
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SMB(DO-214AA)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A(Ta) -
系列 PowerTrench® SMBJ
钳位电压Vc - 48.4V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3939pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
反向工作电压Vrwm - 30V
正向浪涌电流Ifsm - 12.4A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
通道数 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3939pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
最大峰值脉冲功率Ppp - 600W
库存与单价
库存 468 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.0783
25+ :  ¥2.7984
100+ :  ¥2.544
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6679 ON Semiconductor 功率MOSFET

2.5W(Ta) 9m Ohms@13A,10V -55°C~175°C(TJ) SOIC 13A P-Channel 30V 13A(Ta) ±25V 9 毫欧 @ 13A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

¥3.0783 

阶梯数 价格
1: ¥3.0783
25: ¥2.7984
100: ¥2.544
468 当前型号
SMBJ30A-E3/52 Vishay  数据手册 TVS二极管

48.4V -55°C~150°C(TJ) 30V 单向 SMB(DO-214AA)

¥0.5644 

阶梯数 价格
90: ¥0.5644
750: ¥0.5109
7,607 对比
SMBJ30A-E3/52 Vishay  数据手册 TVS二极管

48.4V -55°C~150°C(TJ) 30V 单向 SMB(DO-214AA)

暂无价格 0 对比
SMBJ30A-E3/52 Vishay  数据手册 TVS二极管

48.4V -55°C~150°C(TJ) 30V 单向 SMB(DO-214AA)

暂无价格 0 对比
SMBJ30A-E3/52 Vishay  数据手册 TVS二极管

48.4V -55°C~150°C(TJ) 30V 单向 SMB(DO-214AA)

暂无价格 0 对比

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